HUF75639SF085A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF75639SF085A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF75639SF085A

HUF75639SF085A Datasheet (PDF)

5.1. Size:227K fairchild semi
huf75639s3st.pdf

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5.2. Size:230K fairchild semi
huf75639s f085a.pdf

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5.3. Size:229K fairchild semi
huf75639g3 huf75639p3 huf75639s3s huf75639s3.pdf

5.4. Size:720K onsemi
huf75639g3 huf75639p3 huf75639s3s huf75639s3.pdf

MOSFET Power, N-Channel,Ultrafet100 V, 56 A, 25 mWHUF75639G3, HUF75639P3,HUF75639S3S, HUF75639S3www.onsemi.comThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using theinnovative Ultrafet process. This advanced process technologyachieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resultingin outstanding performance. This device is capable of withstandinghigh ener

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Liste

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