HUF75639SF085A - описание и поиск аналогов

 

HUF75639SF085A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF75639SF085A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для HUF75639SF085A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75639SF085A даташит

 5.1. Size:227K  fairchild semi
 huf75639s3st.pdf pdf_icon

HUF75639SF085A

HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Data Sheet December 2001 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel Features UltraFET Power MOSFETs 56A, 100V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Electrical Models advanced process technology - Spice and Saber T

 5.2. Size:230K  fairchild semi
 huf75639s f085a.pdf pdf_icon

HUF75639SF085A

HUFA75639S3ST_F085A Data Sheet March 2012 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel Features UltraFET Power MOSFETs 56A, 100V These N-Channel power MOSFETs Peak Current vs Pulse Width Curve are manufactured using the UIS Rating Curve innovative UltraFET process. This advanced process technology Related Literature achieves the lowest possible on-resistance per silicon ar

 5.3. Size:229K  fairchild semi
 huf75639g3 huf75639p3 huf75639s3s huf75639s3.pdf pdf_icon

HUF75639SF085A

HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Data Sheet December 2001 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel Features UltraFET Power MOSFETs 56A, 100V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Electrical Models advanced process technology - Spice and Saber T

 5.4. Size:720K  onsemi
 huf75639g3 huf75639p3 huf75639s3s huf75639s3.pdf pdf_icon

HUF75639SF085A

MOSFET Power, N-Channel, Ultrafet 100 V, 56 A, 25 mW HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 www.onsemi.com These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative Ultrafet process. This advanced process technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high ener

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDMS3016DC , FDMS86101DC , FCP380N60 , FCPF380N60 , FDMS3686S , FDMA8878 , FDMS86101A , FDPC8011S , AO3400A , FDMS3620S , FDMS86300DC , FCPF400N60 , FDD86540 , FDMS015N04B , FDD390N15ALZ , FDMA7628 , FDMC86248 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.