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FDPF18N20FT_G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDPF18N20FT_G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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FDPF18N20FT_G Datasheet (PDF)

1.1. fdpf18n20f.pdf Size:658K _upd-mosfet

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September 2009 UniFETTM FDP18N20F / FDPF18N20FT tm N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14Ω Features Description • RDS(on) = 0.12Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar • Low gate charge ( Typ. 20nC) stripe, DMOS technology. • Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology h

1.2. fdpf18n20ft g.pdf Size:601K _fairchild_semi

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April 2013 FDPF18N20FT_G N-Channel UniFETTM FRFET® MOSFET 200 V, 18 A, 140 m � Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage • RDS(on) = 129 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This • Low Gate Charge (Typ. 20 nC) MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide bette

 1.3. fdp18n20f fdpf18n20f.pdf Size:685K _fairchild_semi

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September 2009 UniFETTM FDP18N20F / FDPF18N20FT tm N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14? Features Description RDS(on) = 0.12? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 20nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology has been especia

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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