FDPF18N20FTG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDPF18N20FTG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDPF18N20FTG

FDPF18N20FTG Datasheet (PDF)

3.1. Size:601K fairchild semi
fdpf18n20ft g.pdf

April 2013FDPF18N20FT_G N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 200 V, 18 A, 140 m Features DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 129 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This Low Gate Charge (Typ. 20 nC)MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide bette

3.2. Size:938K onsemi
fdp18n20f fdpf18n20ft.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

4.1. Size:658K fairchild semi
fdpf18n20f.pdf

September 2009UniFETTMFDP18N20F / FDPF18N20FTtmN-Channel MOSFET200V, 18A, 0.14Features Description RDS(on) = 0.12 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 20nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology h

4.2. Size:685K fairchild semi
fdp18n20f fdpf18n20f.pdf

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Liste

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