Справочник MOSFET. FDPF18N20FTG

 

FDPF18N20FTG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDPF18N20FTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для FDPF18N20FTG

 

 

FDPF18N20FTG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:601K  fairchild semi
 fdpf18n20ft g.pdf

FDPF18N20FTG FDPF18N20FTG

April 2013FDPF18N20FT_G N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 200 V, 18 A, 140 m Features DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 129 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This Low Gate Charge (Typ. 20 nC)MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide bette

 3.2. Size:938K  onsemi
 fdp18n20f fdpf18n20ft.pdf

FDPF18N20FTG FDPF18N20FTG

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 4.1. Size:658K  fairchild semi
 fdpf18n20f.pdf

FDPF18N20FTG FDPF18N20FTG

September 2009UniFETTMFDP18N20F / FDPF18N20FTtmN-Channel MOSFET200V, 18A, 0.14Features Description RDS(on) = 0.12 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 20nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology h

 4.2. Size:685K  fairchild semi
 fdp18n20f fdpf18n20f.pdf

FDPF18N20FTG FDPF18N20FTG

September 2009UniFETTMFDP18N20F / FDPF18N20FTtmN-Channel MOSFET200V, 18A, 0.14Features Description RDS(on) = 0.12 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 20nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology h

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top