FDPF18N20FTG - описание и поиск аналогов

 

FDPF18N20FTG - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDPF18N20FTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FDPF18N20FTG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDPF18N20FTG технические параметры

 3.1. Size:601K  fairchild semi
fdpf18n20ft g.pdfpdf_icon

FDPF18N20FTG

April 2013 FDPF18N20FT_G N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 200 V, 18 A, 140 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 129 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This Low Gate Charge (Typ. 20 nC) MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide bette

 3.2. Size:938K  onsemi
fdp18n20f fdpf18n20ft.pdfpdf_icon

FDPF18N20FTG

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 4.1. Size:658K  fairchild semi
fdpf18n20f.pdfpdf_icon

FDPF18N20FTG

September 2009 UniFETTM FDP18N20F / FDPF18N20FT tm N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14 Features Description RDS(on) = 0.12 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 20nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology h

 4.2. Size:685K  fairchild semi
fdp18n20f fdpf18n20f.pdfpdf_icon

FDPF18N20FTG

September 2009 UniFETTM FDP18N20F / FDPF18N20FT tm N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14 Features Description RDS(on) = 0.12 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 20nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology h

Другие MOSFET... FDMS015N04B , FDD390N15ALZ , FDMA7628 , FDMC86248 , FDPC8013S , FDP039N08B , FDME820NZT , FDS86540 , EMB04N03H , HUF76633P3F085 , FDMS030N06B , FDMA3027PZ , FDP053N08B , FCB20N60FF085 , FDMS8570SDC , FDMC8588DC , FDMS8558SDC .

 

 
Back to Top

 


 
.