FDB035AN06F085 Todos los transistores

 

FDB035AN06F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB035AN06F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 93 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB035AN06F085 PDF Specs

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FDB035AN06F085

July 2002 FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5m Features Applications rDS(ON) = 3.2m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co... See More ⇒

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FDB035AN06F085

January 2012 FDB035AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5m Features Applications rDS(ON) = 3.2m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) D... See More ⇒

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FDB035AN06F085

FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 80 A, 3.5 m Features Applications RDS(on) = 3.2 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A QG(tot) = 95 nC ( Typ.) @ VGS = 10 V Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit Low Miller Charge Motor drives and Uninterruptible Power Supplies Low Qrr Body Diode UIS Capabil... See More ⇒

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FDB035AN06F085

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FDB035AN06A0 FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Single pulse and repetitive pulse High speed switching Low miller charge Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages, hard switching PWM stages and resonant swit... See More ⇒

Otros transistores... FDMS8570SDC , FDMC8588DC , FDMS8558SDC , FDMC86160 , FDB2552F085 , FDMS86150 , FDMC89521L , FDMQ86530L , IRF540N , FCP260N60E , FCPF260N60E , FCU900N60Z , FDMC7208S , FDB9403F085 , FCP600N60Z , FCPF600N60Z , FDT1600N10ALZ .

 

 
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