FCU900N60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCU900N60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 399 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
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FCU900N60Z datasheet
fcu900n60z.pdf
December 2013 FCU900N60Z N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 m Features Description 675 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC) and lo
fcu900n60z.pdf
FCU900N60Z MOSFET, N-Channel, SuperFET) II 600 V, 4.5 A, 900 mW www.onsemi.com Description SuperFET II MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge D balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior swit
Otros transistores... FDMC86160 , FDB2552F085 , FDMS86150 , FDMC89521L , FDMQ86530L , FDB035AN06F085 , FCP260N60E , FCPF260N60E , IRFP460 , FDMC7208S , FDB9403F085 , FCP600N60Z , FCPF600N60Z , FDT1600N10ALZ , FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B .
History: BUK9535-55 | BUK9840-55
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