FCU900N60Z Todos los transistores

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FCU900N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCU900N60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251_IPAK

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FCU900N60Z Datasheet (PDF)

1.1. fcu900n60z.pdf Size:606K _fairchild_semi

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December 2013 FCU900N60Z N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 mΩ Features Description • 675 V @ TJ = 150oC SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing • Typ. RDS(on) = 820 mΩ charge balance technology for outstanding low on-resistance • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC) and lo

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