FCU900N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCU900N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 399 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCU900N60Z

FCU900N60Z Datasheet (PDF)

..1. Size:606K fairchild semi
fcu900n60z.pdf

December 2013FCU900N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 mFeatures Description 675 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC)and lo

..2. Size:300K onsemi
fcu900n60z.pdf

FCU900N60ZMOSFET, N-Channel,SuperFET) II600 V, 4.5 A, 900 mWwww.onsemi.comDescriptionSuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeDbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This technology is tailored to minimizeconduction loss, provide superior swit

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: