FCU900N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCU900N60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 399 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
Búsqueda de reemplazo de FCU900N60Z MOSFET
FCU900N60Z Datasheet (PDF)
fcu900n60z.pdf
December 2013FCU900N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 mFeatures Description 675 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC)and lo
fcu900n60z.pdf
FCU900N60ZMOSFET, N-Channel,SuperFET) II600 V, 4.5 A, 900 mWwww.onsemi.comDescriptionSuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeDbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This technology is tailored to minimizeconduction loss, provide superior swit
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History: BUK101-50GL
History: BUK101-50GL
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