Справочник MOSFET. FCU900N60Z

 

FCU900N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCU900N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
 

 Аналог (замена) для FCU900N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCU900N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  fairchild semi
 fcu900n60z.pdf pdf_icon

FCU900N60Z

December 2013FCU900N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 mFeatures Description 675 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC)and lo

 ..2. Size:300K  onsemi
 fcu900n60z.pdf pdf_icon

FCU900N60Z

FCU900N60ZMOSFET, N-Channel,SuperFET) II600 V, 4.5 A, 900 mWwww.onsemi.comDescriptionSuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeDbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This technology is tailored to minimizeconduction loss, provide superior swit

Другие MOSFET... FDMC86160 , FDB2552F085 , FDMS86150 , FDMC89521L , FDMQ86530L , FDB035AN06F085 , FCP260N60E , FCPF260N60E , IRF640 , FDMC7208S , FDB9403F085 , FCP600N60Z , FCPF600N60Z , FDT1600N10ALZ , FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B .

History: FCH150N65FF155 | HM70P04K | IPI05CNE8NG | TMPF830AZ | SML1002R4CN | SIF12N60C | WMM14N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.