FCU900N60Z - описание и поиск аналогов

 

FCU900N60Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCU900N60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для FCU900N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCU900N60Z даташит

 ..1. Size:606K  fairchild semi
 fcu900n60z.pdf pdf_icon

FCU900N60Z

December 2013 FCU900N60Z N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 m Features Description 675 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC) and lo

 ..2. Size:300K  onsemi
 fcu900n60z.pdf pdf_icon

FCU900N60Z

FCU900N60Z MOSFET, N-Channel, SuperFET) II 600 V, 4.5 A, 900 mW www.onsemi.com Description SuperFET II MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge D balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior swit

Другие MOSFET... FDMC86160 , FDB2552F085 , FDMS86150 , FDMC89521L , FDMQ86530L , FDB035AN06F085 , FCP260N60E , FCPF260N60E , IRFP460 , FDMC7208S , FDB9403F085 , FCP600N60Z , FCPF600N60Z , FDT1600N10ALZ , FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.