FCU900N60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCU900N60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO251 IPAK
Аналог (замена) для FCU900N60Z
FCU900N60Z Datasheet (PDF)
fcu900n60z.pdf
December 2013FCU900N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 4.5 A, 900 mFeatures Description 675 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC)and lo
fcu900n60z.pdf
FCU900N60ZMOSFET, N-Channel,SuperFET) II600 V, 4.5 A, 900 mWwww.onsemi.comDescriptionSuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeDbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This technology is tailored to minimizeconduction loss, provide superior swit
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918