FDI9406F085 Todos los transistores

 

FDI9406F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDI9406F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2015 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: TO262 I2PAK

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FDI9406F085 datasheet

 7.1. Size:517K  fairchild semi
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FDI9406F085

June 2014 FDI9406_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 110 A, 2.2 m D Features Typ RDS(on) = 1.73m at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(tot) = 107nC at VGS = 10V, ID = 80A G UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 TO-262AB S FDI SERIES Applications Automotive Engine Control For current package drawing, please refer to the Fairchild Powertrai

 7.2. Size:282K  inchange semiconductor
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FDI9406F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI9406 FEATURES Drain Current I =80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power su pplies and general purpose

Otros transistores... FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B , FDP032N08B , FDB3632F085 , FDME430NT , FDMS8090 , FDP030N06BF102 , 2N7000 , FCH041N60F , FDD10AN06F085 , FDMC86260 , FDMS86200DC , FDMS8333L , FDP023N08B , FCPF36N60N , FDD770N15A .

History: FCH041N60F

 

 

 

 

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