FDI9406F085 Todos los transistores

 

FDI9406F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDI9406F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2015 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262 I2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FDI9406F085 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDI9406F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:517K  fairchild semi
 fdi9406 f085.pdf pdf_icon

FDI9406F085

June 2014FDI9406_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40 V, 110 A, 2.2 m DFeatures Typ RDS(on) = 1.73m at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(tot) = 107nC at VGS = 10V, ID = 80AG UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101TO-262ABSFDI SERIESApplications Automotive Engine ControlForcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Powertrai

 7.2. Size:282K  inchange semiconductor
 fdi9406.pdf pdf_icon

FDI9406F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI9406FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power su pplies and generalpurpose

Otros transistores... FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B , FDP032N08B , FDB3632F085 , FDME430NT , FDMS8090 , FDP030N06BF102 , IRF9540 , FCH041N60F , FDD10AN06F085 , FDMC86260 , FDMS86200DC , FDMS8333L , FDP023N08B , FCPF36N60N , FDD770N15A .

History: BRI5N60 | SRM7N60 | NCEP025N85LL | 2SK2533 | WMQ080N03LG2 | CS8N60A8D

 

 
Back to Top

 


 
.