FDI9406F085 - описание и поиск аналогов

 

FDI9406F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDI9406F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2015 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TO262 I2PAK

Аналог (замена) для FDI9406F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDI9406F085 даташит

 7.1. Size:517K  fairchild semi
 fdi9406 f085.pdf pdf_icon

FDI9406F085

June 2014 FDI9406_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 110 A, 2.2 m D Features Typ RDS(on) = 1.73m at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(tot) = 107nC at VGS = 10V, ID = 80A G UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 TO-262AB S FDI SERIES Applications Automotive Engine Control For current package drawing, please refer to the Fairchild Powertrai

 7.2. Size:282K  inchange semiconductor
 fdi9406.pdf pdf_icon

FDI9406F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI9406 FEATURES Drain Current I =80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power su pplies and general purpose

Другие MOSFET... FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B , FDP032N08B , FDB3632F085 , FDME430NT , FDMS8090 , FDP030N06BF102 , 2N7000 , FCH041N60F , FDD10AN06F085 , FDMC86260 , FDMS86200DC , FDMS8333L , FDP023N08B , FCPF36N60N , FDD770N15A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.