FDI9406F085 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDI9406F085 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDI9406F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2015 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TO262 I2PAK
 

 Аналог (замена) для FDI9406F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDI9406F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:517K  fairchild semi
 fdi9406 f085.pdf pdf_icon

FDI9406F085

June 2014FDI9406_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40 V, 110 A, 2.2 m DFeatures Typ RDS(on) = 1.73m at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(tot) = 107nC at VGS = 10V, ID = 80AG UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101TO-262ABSFDI SERIESApplications Automotive Engine ControlForcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Powertrai

 7.2. Size:282K  inchange semiconductor
 fdi9406.pdf pdf_icon

FDI9406F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI9406FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power su pplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B , FDP032N08B , FDB3632F085 , FDME430NT , FDMS8090 , FDP030N06BF102 , IRFP250N , FCH041N60F , FDD10AN06F085 , FDMC86260 , FDMS86200DC , FDMS8333L , FDP023N08B , FCPF36N60N , FDD770N15A .

 

 
Back to Top

 


 
.