FCD380N60E Todos los transistores

 

FCD380N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCD380N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 106 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.38 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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FCD380N60E Datasheet (PDF)

1.1. fcd380n60e.pdf Size:596K _fairchild_semi

FCD380N60E
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December 2013 FCD380N60E N-Channel SuperFET® II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 mΩ Features Description • 650 V @ TJ = 150°C SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing • Typ. RDS(on) = 320 mΩ charge balance technology for outstanding low on-resistance • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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