FCD380N60E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCD380N60E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO252

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FCD380N60E datasheet

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FCD380N60E

December 2013 FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 320 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34

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FCD380N60E

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FCPF36N60N, FDD770N15A, FDMS8820, FDMS8320LDC, HUF76639SF085, FDB38N30U, FDB070AN06F085, FDD1600N10ALZ, 2SK3568, FCD900N60Z, FCD600N60Z, FDD1600N10ALZD, FDD850N10LD, FCH072N60F, FDMB2308PZ, FDMS3669S, FDZ1323NZ