Справочник MOSFET. FCD380N60E

 

FCD380N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCD380N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для FCD380N60E

 

 

FCD380N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  fairchild semi
 fcd380n60e.pdf

FCD380N60E FCD380N60E

December 2013FCD380N60EN-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET600 V, 10.2 A, 380 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 320 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34

 ..2. Size:704K  onsemi
 fcd380n60e.pdf

FCD380N60E FCD380N60E

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top