FDN371N Todos los transistores

 

FDN371N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDN371N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT3

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FDN371N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  fairchild semi
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September 2001FDN371N20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis 20V N-Channel MOSFET uses Fairchilds high 2.5 A, 20 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = 4.5 Vvoltage PowerTrench process. It has been optimized forRDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 V power management applications.Applications Low gate charge (7.6 nC typical) Load switch Fast

 ..2. Size:2290K  cn vbsemi
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FDN371Nwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

 9.1. Size:142K  fairchild semi
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September 2002 FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features The FDN372S is designed to replace a single MOSFET 2.6 A, 30 V. RDS(ON) = 40 m @ VGS = 10 V and Schottky diode, used in synchronous DC-DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 4.5 V power supplies, with a single integrated component. This 30V MOSFET is designed to maximize po

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