FDN371N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDN371N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SSOT3
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FDN371N Datasheet (PDF)
fdn371n.pdf
September 2001FDN371N20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis 20V N-Channel MOSFET uses Fairchilds high 2.5 A, 20 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = 4.5 Vvoltage PowerTrench process. It has been optimized forRDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 V power management applications.Applications Low gate charge (7.6 nC typical) Load switch Fast
fdn371n.pdf
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fdn372s.pdf
September 2002 FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features The FDN372S is designed to replace a single MOSFET 2.6 A, 30 V. RDS(ON) = 40 m @ VGS = 10 V and Schottky diode, used in synchronous DC-DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 4.5 V power supplies, with a single integrated component. This 30V MOSFET is designed to maximize po
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Liste
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