FDN371N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDN371N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SSOT3

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FDN371N datasheet

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FDN371N

September 2001 FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild s high 2.5 A, 20 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = 4.5 V voltage PowerTrench process. It has been optimized for RDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 V power management applications. Applications Low gate charge (7.6 nC typical) Load switch Fast

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FDN371N

FDN371N www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G

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FDN371N

September 2002 FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features The FDN372S is designed to replace a single MOSFET 2.6 A, 30 V. RDS(ON) = 40 m @ VGS = 10 V and Schottky diode, used in synchronous DC-DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 4.5 V power supplies, with a single integrated component. This 30V MOSFET is designed to maximize po

Otros transistores... FDMS86152, FDN537N, FDB9406F085, FDD120AN15F085, FDPC4044, FDMC8360L, FDMC86340, FDMC86570L, IRFP450, FCH104N60F, FDMS86350, FDU6N25, HUF76419SF085, FDMS86252L, FDMS86550, FDMA908PZ, FDS6679