FDH210N08 Todos los transistores

 

FDH210N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH210N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 410 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2134 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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FDH210N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  fairchild semi
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FDH210N08

December 2013FDH210N08N-Channel UniFETTM MOSFET 75 V, 210 A, 5.5 mFeatures Description RDS(on) = 4.65 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 125 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 232 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 262 pF)

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
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FDH210N08

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH210N08FEATURESDrain Current I = 210A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... FDMS86255 , FDBL86210F085 , FDMS86263P , FCMT199N60 , FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , AO4468 , FDMC86139P , FDZ1416NZ , FDMS8350L , FDD9407F085 , FDMC86259P , FDMS5360LF085 , FDMS5362LF085 , FDMD84100 .

History: FDMS0302S | AMA420N | HY1808AP | RF1S70N06 | FDBL86363-F085 | BLV108 | NCEP050N12GU

 

 
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