FDH210N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDH210N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 410 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2134 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: TO247
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FDH210N08 datasheet
fdh210n08.pdf
December 2013 FDH210N08 N-Channel UniFETTM MOSFET 75 V, 210 A, 5.5 m Features Description RDS(on) = 4.65 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 125 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 232 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 262 pF)
fdh210n08.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDH210N08 FEATURES Drain Current I = 210A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... FDMS86255 , FDBL86210F085 , FDMS86263P , FCMT199N60 , FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , 60N06 , FDMC86139P , FDZ1416NZ , FDMS8350L , FDD9407F085 , FDMC86259P , FDMS5360LF085 , FDMS5362LF085 , FDMD84100 .
History: FQP3N50C
History: FQP3N50C
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