FDH210N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDH210N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 410 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2134 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de FDH210N08 MOSFET
FDH210N08 Datasheet (PDF)
fdh210n08.pdf
December 2013FDH210N08N-Channel UniFETTM MOSFET 75 V, 210 A, 5.5 mFeatures Description RDS(on) = 4.65 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 125 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 232 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 262 pF)
fdh210n08.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDH210N08FEATURESDrain Current I = 210A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Otros transistores... FDMS86255 , FDBL86210F085 , FDMS86263P , FCMT199N60 , FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , IRFB7545 , FDMC86139P , FDZ1416NZ , FDMS8350L , FDD9407F085 , FDMC86259P , FDMS5360LF085 , FDMS5362LF085 , FDMD84100 .
History: FDMC86261P
History: FDMC86261P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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