Справочник MOSFET. FDH210N08

 

FDH210N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDH210N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 232 nC
   trⓘ - Время нарастания: 410 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2134 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FDH210N08

 

 

FDH210N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  fairchild semi
 fdh210n08.pdf

FDH210N08 FDH210N08

December 2013FDH210N08N-Channel UniFETTM MOSFET 75 V, 210 A, 5.5 mFeatures Description RDS(on) = 4.65 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 125 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 232 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 262 pF)

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh210n08.pdf

FDH210N08 FDH210N08

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH210N08FEATURESDrain Current I = 210A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top