Справочник MOSFET. FDH210N08

 

FDH210N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDH210N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 410 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2134 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH210N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  fairchild semi
 fdh210n08.pdf pdf_icon

FDH210N08

December 2013FDH210N08N-Channel UniFETTM MOSFET 75 V, 210 A, 5.5 mFeatures Description RDS(on) = 4.65 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 125 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 232 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 262 pF)

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh210n08.pdf pdf_icon

FDH210N08

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH210N08FEATURESDrain Current I = 210A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HFA24N50G | JCS5N50CT | SIHB15N60E | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.