FDH210N08 - описание и поиск аналогов

 

FDH210N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDH210N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 410 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для FDH210N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH210N08 даташит

 ..1. Size:761K  fairchild semi
 fdh210n08.pdf pdf_icon

FDH210N08

December 2013 FDH210N08 N-Channel UniFETTM MOSFET 75 V, 210 A, 5.5 m Features Description RDS(on) = 4.65 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 125 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 232 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 262 pF)

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh210n08.pdf pdf_icon

FDH210N08

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH210N08 FEATURES Drain Current I = 210A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... FDMS86255 , FDBL86210F085 , FDMS86263P , FCMT199N60 , FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , 60N06 , FDMC86139P , FDZ1416NZ , FDMS8350L , FDD9407F085 , FDMC86259P , FDMS5360LF085 , FDMS5362LF085 , FDMD84100 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.