FCH130N60 Todos los transistores

 

FCH130N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCH130N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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FCH130N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  fairchild semi
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FCH130N60

July 2014FCH130N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 28 A, 130 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 112 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 54 nC)and lower

 ..2. Size:361K  inchange semiconductor
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FCH130N60

isc N-Channel MOSFET Transistor FCH130N60FEATURESWith TO-247 packagingDrain Source Voltage-: V 600VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 130m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... FDBL9406F085 , FDMS86163P , FDBL9401F085 , FDD9409F085 , FDMA86265P , FDMC86265P , FDMD82100L , FCH041N65F , IRFB4115 , FCH170N60 , FDN86265P , FCH077N65F , FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU .

History: WMN26N65SR | WNMD2167 | STI57N65M5

 

 
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