Справочник MOSFET. FCH130N60

 

FCH130N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH130N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FCH130N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH130N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  fairchild semi
 fch130n60.pdf pdf_icon

FCH130N60

July 2014FCH130N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 28 A, 130 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 112 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 54 nC)and lower

 ..2. Size:361K  inchange semiconductor
 fch130n60.pdf pdf_icon

FCH130N60

isc N-Channel MOSFET Transistor FCH130N60FEATURESWith TO-247 packagingDrain Source Voltage-: V 600VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 130m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FDBL9406F085 , FDMS86163P , FDBL9401F085 , FDD9409F085 , FDMA86265P , FDMC86265P , FDMD82100L , FCH041N65F , IRFB4115 , FCH170N60 , FDN86265P , FCH077N65F , FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU .

History: RU80N15Q | SSQ6N60 | HUFA76429D3STF085 | WMJ26N60C4 | PSMN6R3-120PS | SST70R300S2 | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.