FDP86363F085 Todos los transistores

 

FDP86363F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP86363F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 129 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO220

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FDP86363F085 datasheet

 6.1. Size:468K  fairchild semi
 fdp86363 f085.pdf pdf_icon

FDP86363F085

June 2014 FDP86363_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET D 80 V, 110 A, 2.8 m Features Typical RDS(on) = 2.4 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant S Qualified to AEC Q101 Applications For current package drawing, please refer to the Fairchild Automotive Engine Control website at www.fair

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History: FDMS3016DC | FCPF190N60 | FDP2D3N10C

 

 

 

 

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