FDP86363F085 Todos los transistores

 

FDP86363F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP86363F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 131 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 129 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP86363F085 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:468K  fairchild semi
 fdp86363 f085.pdf pdf_icon

FDP86363F085

June 2014FDP86363_F085N-Channel PowerTrench MOSFETD80 V, 110 A, 2.8 m Features Typical RDS(on) = 2.4 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS CompliantS Qualified to AEC Q101Applications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Automotive Engine Controlwebsiteatwww.fair

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