Справочник MOSFET. FDP86363F085

 

FDP86363F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP86363F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 129 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FDP86363F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP86363F085 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:468K  fairchild semi
 fdp86363 f085.pdf pdf_icon

FDP86363F085

June 2014FDP86363_F085N-Channel PowerTrench MOSFETD80 V, 110 A, 2.8 m Features Typical RDS(on) = 2.4 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS CompliantS Qualified to AEC Q101Applications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Automotive Engine Controlwebsiteatwww.fair

Другие MOSFET... FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU , FDPF51N25RDTU , FQPF5P20RDTU , 5N60 , FCPF850N80Z , FCP150N65F , FCPF1300N80Z , FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 .

History: FQD3N60CTM-WS | IRF7463 | NCEP02T11D | 2SK2317 | SiS412DN | RFD15P05SM | MTP2N50

 

 
Back to Top

 


 
.