FDP86363F085 - описание и поиск аналогов

 

FDP86363F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP86363F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 129 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP86363F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP86363F085 даташит

 6.1. Size:468K  fairchild semi
 fdp86363 f085.pdf pdf_icon

FDP86363F085

June 2014 FDP86363_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET D 80 V, 110 A, 2.8 m Features Typical RDS(on) = 2.4 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant S Qualified to AEC Q101 Applications For current package drawing, please refer to the Fairchild Automotive Engine Control website at www.fair

Другие MOSFET... FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU , FDPF51N25RDTU , FQPF5P20RDTU , IRLB4132 , FCPF850N80Z , FCP150N65F , FCPF1300N80Z , FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.