Справочник MOSFET. FDP86363F085

 

FDP86363F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP86363F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 129 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP86363F085 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:468K  fairchild semi
 fdp86363 f085.pdf pdf_icon

FDP86363F085

June 2014FDP86363_F085N-Channel PowerTrench MOSFETD80 V, 110 A, 2.8 m Features Typical RDS(on) = 2.4 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS CompliantS Qualified to AEC Q101Applications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Automotive Engine Controlwebsiteatwww.fair

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOD661 | FDG6320C | SSF65R420S2 | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.