FCH150N65FF155 Todos los transistores

 

FCH150N65FF155 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCH150N65FF155
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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FCH150N65FF155 Datasheet (PDF)

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fch150n65f f155.pdf pdf_icon

FCH150N65FF155

December 2014FCH150N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 24 A, 150 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 133 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 72 n

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History: WMM14N70C4 | HM70P04K | SML1002R4CN | IPI05CNE8NG | TMPF830AZ | AP2300 | SIF12N60C

 

 
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