FCH150N65FF155 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCH150N65FF155
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de FCH150N65FF155 MOSFET
FCH150N65FF155 Datasheet (PDF)
fch150n65f f155.pdf

December 2014FCH150N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 24 A, 150 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 133 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 72 n
Otros transistores... FCPF850N80Z , FCP150N65F , FCPF1300N80Z , FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 , RFP50N06 , FCPF650N80Z , FCPF260N65FL1 , FCPF380N65FL1 , FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A .
History: APT1003RBFLLG | ISL9N302AS3ST | FDD8453LZ-F085 | SNN3100L10D
History: APT1003RBFLLG | ISL9N302AS3ST | FDD8453LZ-F085 | SNN3100L10D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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