Справочник MOSFET. FCH150N65FF155

 

FCH150N65FF155 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH150N65FF155
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FCH150N65FF155

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH150N65FF155 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1448K  fairchild semi
 fch150n65f f155.pdf pdf_icon

FCH150N65FF155

December 2014FCH150N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 24 A, 150 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 133 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 72 n

Другие MOSFET... FCPF850N80Z , FCP150N65F , FCPF1300N80Z , FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 , RFP50N06 , FCPF650N80Z , FCPF260N65FL1 , FCPF380N65FL1 , FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A .

History: KP821B | VBA1615 | STD4N90K5 | PTF4N65 | NCE0130A | NCE15P25JI | SMK0465FJ

 

 
Back to Top

 


 
.