FCD1300N80Z Todos los transistores

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FCD1300N80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCD1300N80Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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FCD1300N80Z Datasheet (PDF)

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August 2014 FCD1300N80Z N-Channel SuperFET® II MOSFET 800 V, 4 A, 1.3  Features Description • RDS(on) = 1.05 Typ.) SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16.2 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance • Low Eoss (Typ. 1.5

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