Справочник MOSFET. FCD1300N80Z

 

FCD1300N80Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCD1300N80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD1300N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  fairchild semi
 fcd1300n80z.pdf pdf_icon

FCD1300N80Z

August 2014FCD1300N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 4 A, 1.3 Features Description RDS(on) = 1.05 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16.2 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1.5

Другие MOSFET... FCMT299N60 , FDMS8050 , FCH150N65FF155 , FCPF650N80Z , FCPF260N65FL1 , FCPF380N65FL1 , FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , IRF530 , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , FCU4300N80Z , FDD9410F085 , FDBL0065N40 .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.