FCD1300N80Z - описание и поиск аналогов

 

FCD1300N80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD1300N80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FCD1300N80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD1300N80Z даташит

 ..1. Size:880K  fairchild semi
 fcd1300n80z.pdf pdf_icon

FCD1300N80Z

August 2014 FCD1300N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 4 A, 1.3 Features Description RDS(on) = 1.05 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16.2 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1.5

Другие MOSFET... FCMT299N60 , FDMS8050 , FCH150N65FF155 , FCPF650N80Z , FCPF260N65FL1 , FCPF380N65FL1 , FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , IRF530 , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , FCU4300N80Z , FDD9410F085 , FDBL0065N40 .

History: IRF8301MTRPBF | IRFS4115-7P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.