FCU4300N80Z Todos los transistores

 

FCU4300N80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCU4300N80Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm

Encapsulados: TO251 IPAK

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FCU4300N80Z datasheet

 ..1. Size:662K  fairchild semi
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FCU4300N80Z

December 2014 FCU4300N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 Features Description RDS(on) = 3.4 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 0

Otros transistores... FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , TK10A60D , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , FDBL0630N150 , FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 .

 

 

 


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