FCU4300N80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCU4300N80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm
Búsqueda de reemplazo de FCU4300N80Z MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FCU4300N80Z datasheet
fcu4300n80z.pdf
December 2014 FCU4300N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 Features Description RDS(on) = 3.4 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 0
Otros transistores... FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , TK10A60D , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , FDBL0630N150 , FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090
