FCU4300N80Z Todos los transistores

 

FCU4300N80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCU4300N80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FCU4300N80Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FCU4300N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  fairchild semi
 fcu4300n80z.pdf pdf_icon

FCU4300N80Z

December 2014FCU4300N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 1.6 A, 4.3 Features Description RDS(on) = 3.4 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 0

Otros transistores... FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , IRFZ24N , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , FDBL0630N150 , FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 .

History: STD10N10T4 | FCD850N80Z | JMSL0303AK | FDBL0065N40 | 2SJ45 | SSW7N60A

 

 
Back to Top

 


 
.