Справочник MOSFET. FCU4300N80Z

 

FCU4300N80Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCU4300N80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCU4300N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  fairchild semi
 fcu4300n80z.pdf pdf_icon

FCU4300N80Z

December 2014FCU4300N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 1.6 A, 4.3 Features Description RDS(on) = 3.4 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 0

Другие MOSFET... FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , 4435 , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , FDBL0630N150 , FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.