FCU4300N80Z - описание и поиск аналогов

 

FCU4300N80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCU4300N80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для FCU4300N80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCU4300N80Z даташит

 ..1. Size:662K  fairchild semi
 fcu4300n80z.pdf pdf_icon

FCU4300N80Z

December 2014 FCU4300N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 Features Description RDS(on) = 3.4 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 0

Другие MOSFET... FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , TK10A60D , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , FDBL0630N150 , FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.