FDMS5361LF085 Todos los transistores

 

FDMS5361LF085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMS5361LF085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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FDMS5361LF085 datasheet

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FDMS5361LF085

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FDMS5361LF085

December 2013 FDMS5362L_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 60V, 22A, 33m Features Typ rDS(on) = 26m at VGS = 10V, ID = 17.6A Typ Qg(tot) = 17nC at VGS = 10V, ID = 17.6A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator For current packa

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FDMS5361LF085

January 2014 FDMS5360L_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 60V, 60A, 8.5m Features Typ rDS(on) = 6.5m at VGS = 10V, ID = 60A Typ Qg(tot) = 64nC at VGS = 10V, ID = 60A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator For current package d

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History: 2SK3255

 

 

 


 
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