FDMS5361LF085 Todos los transistores

 

FDMS5361LF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMS5361LF085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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FDMS5361LF085 Datasheet (PDF)

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FDMS5361LF085

August 2014FDMS5361L_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60 V, 35 A, 15 m Features Typ rDS(on) = 11.7 m at VGS = 10 V, ID = 16.5 A Typ Qg(tot) = 37 nC at VGS = 10 V, ID = 16.5 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/AlternatorForcurrent

 7.1. Size:475K  fairchild semi
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FDMS5361LF085

December 2013FDMS5362L_F085N-Channel Power Trench MOSFET60V, 22A, 33m Features Typ rDS(on) = 26m at VGS = 10V, ID = 17.6A Typ Qg(tot) = 17nC at VGS = 10V, ID = 17.6A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternatorForcurrentpacka

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FDMS5361LF085

January 2014FDMS5360L_F085N-Channel Power Trench MOSFET60V, 60A, 8.5m Features Typ rDS(on) = 6.5m at VGS = 10V, ID = 60A Typ Qg(tot) = 64nC at VGS = 10V, ID = 60A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternatorForcurrentpackaged

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History: FCD850N80Z

 

 
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