FDMS5361LF085 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDMS5361LF085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
Аналог (замена) для FDMS5361LF085
FDMS5361LF085 технические параметры
fdms5362l f085.pdf
December 2013 FDMS5362L_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 60V, 22A, 33m Features Typ rDS(on) = 26m at VGS = 10V, ID = 17.6A Typ Qg(tot) = 17nC at VGS = 10V, ID = 17.6A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator For current packa
fdms5360l f085.pdf
January 2014 FDMS5360L_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 60V, 60A, 8.5m Features Typ rDS(on) = 6.5m at VGS = 10V, ID = 60A Typ Qg(tot) = 64nC at VGS = 10V, ID = 60A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator For current package d
Другие MOSFET... FCU4300N80Z , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , FDBL0630N150 , FDMD8280 , FCU850N80Z , 5N60 , FCD850N80Z , 2SK3503 , 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet




