SPD35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPD35N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPD35N10

SPD35N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:556K infineon
spd35n10.pdf

Preliminary dataSPD35N10SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 44 m Enhancement modeID 35 A 175C operating temperatureP-TO252 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD35N10 P-TO252 Q67042-S412535N10Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value Unit

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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