SPD35N10 Todos los transistores

 

SPD35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD35N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de SPD35N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SPD35N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
 spd35n10.pdf pdf_icon

SPD35N10

Preliminary dataSPD35N10SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 44 m Enhancement modeID 35 A 175C operating temperatureP-TO252 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD35N10 P-TO252 Q67042-S412535N10Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value Unit

Otros transistores... 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , K2611 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 .

History: BUZ94 | STE53NA50 | FDD9410F085

 

 
Back to Top

 


 
.