SPD35N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD35N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Encapsulados: TO252
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SPD35N10 datasheet
spd35n10.pdf
Preliminary data SPD35N10 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 44 m Enhancement mode ID 35 A 175 C operating temperature P-TO252 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPD35N10 P-TO252 Q67042-S4125 35N10 Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Value Unit
Otros transistores... 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , 8N60 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
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