SPD35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD35N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SPD35N10 MOSFET
SPD35N10 Datasheet (PDF)
spd35n10.pdf

Preliminary dataSPD35N10SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 44 m Enhancement modeID 35 A 175C operating temperatureP-TO252 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD35N10 P-TO252 Q67042-S412535N10Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value Unit
Otros transistores... 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , IRFB31N20D , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 .
History: 30P10A | G37 | G60N04 | 3205TR | SST271 | SML60H20 | 3400L
History: 30P10A | G37 | G60N04 | 3205TR | SST271 | SML60H20 | 3400L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
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