Справочник MOSFET. SPD35N10

 

SPD35N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD35N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD35N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD35N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
 spd35n10.pdf pdf_icon

SPD35N10

Preliminary dataSPD35N10SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 44 m Enhancement modeID 35 A 175C operating temperatureP-TO252 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD35N10 P-TO252 Q67042-S412535N10Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value Unit

Другие MOSFET... 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , K2611 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 .

 

 
Back to Top

 


 
.