SPD35N10 - описание и поиск аналогов

 

SPD35N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD35N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD35N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD35N10 даташит

 ..1. Size:556K  infineon
 spd35n10.pdf pdf_icon

SPD35N10

Preliminary data SPD35N10 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 44 m Enhancement mode ID 35 A 175 C operating temperature P-TO252 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPD35N10 P-TO252 Q67042-S4125 35N10 Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Value Unit

Другие MOSFET... 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , 8N60 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.