Справочник MOSFET. SPD35N10

 

SPD35N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPD35N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SPD35N10

 

 

SPD35N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
 spd35n10.pdf

SPD35N10 SPD35N10

Preliminary dataSPD35N10SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 44 m Enhancement modeID 35 A 175C operating temperatureP-TO252 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD35N10 P-TO252 Q67042-S412535N10Maximum Ratings,at Tj = 25 C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value Unit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top