SPB70N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPB70N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: PTO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPB70N10L

SPB70N10L Datasheet (PDF)

..1. Size:146K infineon
spi70n10l spp70n10l spb70n10l.pdf

SPI70N10LSPP70N10L,SPB70N10LSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 16 m Enhancement modeID 70 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated 2 dv/dt rated321P-TO220-3-1Type Package Ordering Code MarkingSPP70N10L P-TO220-3-1 Q67040-S417570N10LSPB70N10L

6.1. Size:101K infineon
spb70n10.pdf

Preliminary DataSPP 70N10LSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 100 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.016RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 70 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SS

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Liste

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