SPB70N10L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPB70N10L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: PTO263
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SPB70N10L datasheet
spi70n10l spp70n10l spb70n10l.pdf
SPI70N10L SPP70N10L,SPB70N10L SIPMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 16 m Enhancement mode ID 70 A Logic Level P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated 2 dv/dt rated 3 2 1 P-TO220-3-1 Type Package Ordering Code Marking SPP70N10L P-TO220-3-1 Q67040-S4175 70N10L SPB70N10L
spb70n10.pdf
Preliminary Data SPP 70N10L SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 100 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.016 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 70 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S S
Otros transistores... 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , AO3400A , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 , J204 , SST201 , SST202 .
History: ZDM4206N
History: ZDM4206N
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Liste
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