SPB70N10L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPB70N10L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: PTO263
Аналог (замена) для SPB70N10L
SPB70N10L Datasheet (PDF)
spi70n10l spp70n10l spb70n10l.pdf

SPI70N10LSPP70N10L,SPB70N10LSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 16 m Enhancement modeID 70 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated 2 dv/dt rated321P-TO220-3-1Type Package Ordering Code MarkingSPP70N10L P-TO220-3-1 Q67040-S417570N10LSPB70N10L
spb70n10.pdf

Preliminary DataSPP 70N10LSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 100 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.016RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 70 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SS
Другие MOSFET... 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , P60NF06 , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 , J204 , SST201 , SST202 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f