Справочник MOSFET. SPB70N10L

 

SPB70N10L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB70N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PTO263
 

 Аналог (замена) для SPB70N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB70N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  infineon
 spi70n10l spp70n10l spb70n10l.pdf pdf_icon

SPB70N10L

SPI70N10LSPP70N10L,SPB70N10LSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 16 m Enhancement modeID 70 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated 2 dv/dt rated321P-TO220-3-1Type Package Ordering Code MarkingSPP70N10L P-TO220-3-1 Q67040-S417570N10LSPB70N10L

 6.1. Size:101K  infineon
 spb70n10.pdf pdf_icon

SPB70N10L

Preliminary DataSPP 70N10LSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 100 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.016RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 70 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SS

Другие MOSFET... 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , RU6888R , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 , J204 , SST201 , SST202 .

History: ZVP4105A | HUF76429DF085

 

 
Back to Top

 


 
.