J204 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J204
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
Encapsulados: TO92
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J204 datasheet
j201 j202 j203 j204 sst201 sst202 sst203 sst204.pdf
N-Channel JFET General Purpose Amplifier CORPORATION J201 J204 / SST201 SST204 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC unless otherwise specified) High Input Impedance Low IGSS Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -40V Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Temperature Range
buj204ax hg 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUJ204AX Silicon Diffused Power Transistor August 1998 Product specification Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUJ204AX GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in high frequency electronic lighting balla
buj204a hg 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUJ204A Silicon Diffused Power Transistor August 1998 Product specification Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUJ204A GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applicati
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History: 2SK758
History: 2SK758
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Liste
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