LND250 Todos los transistores

 

LND250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LND250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.013 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO236AB SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de LND250 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LND250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  supertex
 lnd250.pdf pdf_icon

LND250

LND250N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdownThe LND250 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement(normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of parallelingtechnology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stabilityThe LND250 is ideal for high voltage

Otros transistores... 2SK2564 , 2SK1537 , 2SK2879-01 , 2SK2367 , 2SK2368 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , IRF1404 , FS5UM-5 , FS5VS-5 , FS5KM-5 , FS7UM-5 , FS7VS-5 , FS7KM-5 , FS10UM-5 , FS10VS-5 .

 

 
Back to Top

 


 
.