LND250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LND250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.013 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO236AB SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND250

LND250 Datasheet (PDF)

..1. Size:434K supertex
lnd250.pdf

LND250N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdownThe LND250 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement(normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of parallelingtechnology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stabilityThe LND250 is ideal for high voltage

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: