LND250 Todos los transistores

 

LND250 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND250

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.013 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO236AB SOT23

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LND250 datasheet

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LND250

LND250 N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The LND250 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertex s lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability The LND250 is ideal for high voltage

Otros transistores... 2SK2564 , 2SK1537 , 2SK2879-01 , 2SK2367 , 2SK2368 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , IRF1404 , FS5UM-5 , FS5VS-5 , FS5KM-5 , FS7UM-5 , FS7VS-5 , FS7KM-5 , FS10UM-5 , FS10VS-5 .

 

 

 

 

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