Справочник MOSFET. LND250

 

LND250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.013 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB SOT23
 

 Аналог (замена) для LND250

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  supertex
 lnd250.pdf pdf_icon

LND250

LND250N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdownThe LND250 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement(normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of parallelingtechnology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stabilityThe LND250 is ideal for high voltage

Другие MOSFET... 2SK2564 , 2SK1537 , 2SK2879-01 , 2SK2367 , 2SK2368 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , IRF1404 , FS5UM-5 , FS5VS-5 , FS5KM-5 , FS7UM-5 , FS7VS-5 , FS7KM-5 , FS10UM-5 , FS10VS-5 .

 

 
Back to Top

 


 
.