Справочник MOSFET. LND250

 

LND250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.013 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB SOT23
 

 Аналог (замена) для LND250

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  supertex
 lnd250.pdf pdf_icon

LND250

LND250N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdownThe LND250 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement(normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of parallelingtechnology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stabilityThe LND250 is ideal for high voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.