LND250 - описание и поиск аналогов

 

LND250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.013 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO236AB SOT23

Аналог (замена) для LND250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND250 даташит

 ..1. Size:434K  supertex
 lnd250.pdf pdf_icon

LND250

LND250 N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The LND250 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertex s lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability The LND250 is ideal for high voltage

Другие MOSFET... 2SK2564 , 2SK1537 , 2SK2879-01 , 2SK2367 , 2SK2368 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , IRF1404 , FS5UM-5 , FS5VS-5 , FS5KM-5 , FS7UM-5 , FS7VS-5 , FS7KM-5 , FS10UM-5 , FS10VS-5 .

History: FDP150N10A | IRFH5053

 

 

 

 

↑ Back to Top
.