2N5640 Todos los transistores

 

2N5640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5640

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92_TO226AA

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2N5640 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5640.pdf Size:126K _motorola

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N–Channel — Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29–04, STYLE 5 TO–92 (TO–226AA) Rating Symbol Value Unit Drain–Source Voltage VDS 30 Vdc Drain–Gate Voltage VDG 30 Vdc Reverse Gate–Source Voltage VGSR 30 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc Total Device Dissip

5.1. 2n5643.pdf Size:14K _advanced-semi

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2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C B E E FEATURES: OC B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W I D H Omnigold Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0 A MINIMUM MA

5.2. 2n5641 2n5642 2n5643.pdf Size:182K _ssm

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Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
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