2N5640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5640
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5640

2N5640 Datasheet (PDF)

..1. Size:126K motorola
2n5640.pdf

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9.1. Size:14K advanced-semi
2n5643.pdf

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C BE E FEATURES:C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W IDH Omnigold Metalization System JG#8-32 UNC-2AFMAXIMUM RATINGS E IC 5.0

9.2. Size:182K ssm
2n5641 2n5642 2n5643.pdf

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Liste

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