2N5640 Todos los transistores

 

2N5640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5640

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92, TO226AA

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2N5640 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5640.pdf Size:126K _motorola

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N Channel  Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29 04, STYLE 5 TO 92 (TO 226AA) Ra

5.1. 2n5643.pdf Size:14K _advanced-semi

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2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45° A wideband large-signal amplifier stages in the 125 – 175 MHz range. C B E E FEATURES: ØC B • Minimum Gain = 7.6 dB • Output Power = 40 W I D H • Omnigold™ Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0

5.2. 2n5641 2n5642 2n5643.pdf Size:182K _ssm

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Otros transistores... FS10VS-9 , FS10KM-9 , FS10SM-9 , 2SK3599-01MR , 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , IRF460 , FTP08N50 , FTA08N50 , STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E .

 

 
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