2N5640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5640  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: TO92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N5640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5640 даташит

 ..1. Size:126K  motorola
 2n5640.pdf pdf_icon

2N5640

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N Channel Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29 04, STYLE 5 TO 92 (TO 226AA) Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDS 30 Vdc Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGSR 30 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc Total Device Dissip

 9.1. Size:14K  advanced-semi
 2n5643.pdf pdf_icon

2N5640

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C B E E FEATURES C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W I D H Omnigold Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0

 9.2. Size:182K  ssm
 2n5641 2n5642 2n5643.pdf pdf_icon

2N5640

Другие IGBT... FS10VS-9, FS10KM-9, FS10SM-9, 2SK3599-01MR, 2SK1506, 2SK3538, 2SK3699-01MR, 2SK2171, RFP50N06, FTP08N50, FTA08N50, STP16NE06, STP16NE06FP, FTX30P35G, FTZ15N35G, FTZ20N01G5, FTZ30P35G