2N5640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N5640
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO92
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2N5640 Datasheet (PDF)
2n5640.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5640/DJFETs SwitchingNChannel Depletion2N56401 DRAIN31GATE 232 SOURCECASE 2904, STYLE 5TO92 (TO226AA)Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDS 30 VdcDrainGate Voltage VDG 30 VdcReverse GateSource Voltage VGSR 30 VdcForward Gate Current IGF 10 mAdcTotal Device Dissip
2n5643.pdf

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C BE E FEATURES:C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W IDH Omnigold Metalization System JG#8-32 UNC-2AFMAXIMUM RATINGS E IC 5.0
Другие MOSFET... FS10VS-9 , FS10KM-9 , FS10SM-9 , 2SK3599-01MR , 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , 7N60 , FTP08N50 , FTA08N50 , STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet