DMZ6005E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMZ6005E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMZ6005E

DMZ6005E Datasheet (PDF)

..1. Size:222K ark-micro
dmz6005e.pdf

DMZ6005EDepletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 700 5mA Rugged PolysiliconGate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant SOT-23 Halogen-free available DDrainSourceApplications G Normally-o

..2. Size:1120K kexin
dmz6005e.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETDMZ6005E (KMZ6005E)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 600V ID = 20mA RDS(ON) 700m (VGS = 0 V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 Fast Switching Speed 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RoHS Compliant Halogen-free available1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

9.1. Size:206K ark-micro
dmz6012e.pdf

DMZ6012EDepletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 120 100mA Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Normally-on Switches SMPS St

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