FTZ30P35G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTZ30P35G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm

Encapsulados: SOT23

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FTZ30P35G datasheet

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FTZ30P35G

FTZ30P35G 350V P-Channel MOSFET General Features ESD improved Capability BV R (Max.) I DSX DS(ON) D Proprietary Advanced Planar Technology Rugged Polysilicon Gate Cell Structure 30 -350V -200mA Fast Switching Speed RoHS Compliant SOT-23 Halogen-free available D Applications Drain High Efficiency SMPS Source Adaptor/Charger

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