FTZ30P35G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTZ30P35G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTZ30P35G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTZ30P35G даташит

 ..1. Size:596K  ark-micro
 ftz30p35g.pdf pdf_icon

FTZ30P35G

FTZ30P35G 350V P-Channel MOSFET General Features ESD improved Capability BV R (Max.) I DSX DS(ON) D Proprietary Advanced Planar Technology Rugged Polysilicon Gate Cell Structure 30 -350V -200mA Fast Switching Speed RoHS Compliant SOT-23 Halogen-free available D Applications Drain High Efficiency SMPS Source Adaptor/Charger

Другие IGBT... 2N5640, FTP08N50, FTA08N50, STP16NE06, STP16NE06FP, FTX30P35G, FTZ15N35G, FTZ20N01G5, IRFZ24N, FTZ50P01G5, FTE08N06G, FTE11N06G, FTF16N06G, FTP04N60A, FTA04N60A, FTP04N60B, FTA04N60B