DMZ6012E Todos los transistores

 

DMZ6012E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMZ6012E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 120 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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DMZ6012E PDF Specs

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DMZ6012E

DMZ6012E Depletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 120 100mA Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Normally-on Switches SMPS St... See More ⇒

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DMZ6012E

DMZ6005E Depletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 700 5mA Rugged PolysiliconGate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant SOT-23 Halogen-free available D Drain Source Applications G Normally-o... See More ⇒

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DMZ6012E

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET DMZ6005E (KMZ6005E) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) = 600V ID = 20mA RDS(ON) 700m (VGS = 0 V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 Fast Switching Speed 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 RoHS Compliant Halogen-free available 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ... See More ⇒

Otros transistores... FTP08N50 , FTA08N50 , STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , 2N60 , FTE08N06G , FTE11N06G , FTF16N06G , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 .

 

 
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