Справочник MOSFET. DMZ6012E

 

DMZ6012E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: DMZ6012E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 120 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для DMZ6012E

 

 

DMZ6012E Datasheet (PDF)

0.1. dmz6012e.pdf Size:206K _ark-micro

DMZ6012E
DMZ6012E

DMZ6012EDepletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 120 100mA Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Normally-on Switches SMPS St

9.1. dmz6005e.pdf Size:222K _ark-micro

DMZ6012E
DMZ6012E

DMZ6005EDepletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 700 5mA Rugged PolysiliconGate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant SOT-23 Halogen-free available DDrainSourceApplications G Normally-o

9.2. dmz6005e.pdf Size:1120K _kexin

DMZ6012E
DMZ6012E

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETDMZ6005E (KMZ6005E)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 600V ID = 20mA RDS(ON) 700m (VGS = 0 V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 Fast Switching Speed 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RoHS Compliant Halogen-free available1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top