AOD436 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD436
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
AOD436 Datasheet (PDF)
aod436.pdf

www.DataSheet4U.comAOD436N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD436 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = 60A (VGS = 10V)gate resistance. This device is ideally suited for use RDS(ON)
aod434.pdf

AOD434N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesVDS (V) = 20VThe AOD434 uses advanced trench technology to ID = 18A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON), low gate charge and RDS(ON)
aod438.pdf

AOD438www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: JCS640RH | SI4190DY | VBZM150N10 | KNP1906A | SMIRF5N65TBRL | 2SK3778-01 | LSF65R290HF
History: JCS640RH | SI4190DY | VBZM150N10 | KNP1906A | SMIRF5N65TBRL | 2SK3778-01 | LSF65R290HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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