Справочник MOSFET. AOD436

 

AOD436 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD436
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AOD436

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD436 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  aosemi
 aod436.pdf pdf_icon

AOD436

www.DataSheet4U.comAOD436N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD436 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = 60A (VGS = 10V)gate resistance. This device is ideally suited for use RDS(ON)

 9.1. Size:110K  aosemi
 aod434.pdf pdf_icon

AOD436

AOD434N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesVDS (V) = 20VThe AOD434 uses advanced trench technology to ID = 18A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON), low gate charge and RDS(ON)

 9.2. Size:838K  cn vbsemi
 aod438.pdf pdf_icon

AOD436

AOD438www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU

Другие MOSFET... SSM40N03P , IRF830B , IRFS830B , CLY2 , 2SK2369 , 2SK2370 , 2SK2357 , 2SK2358 , 50N06 , BSN304 , J309G , J310G , SSF5508 , SSF7509 , 2SK1078 , 2SK2018-01L , 2SK2018-01S .

 

 
Back to Top

 


 
.