AOD436 - описание и поиск аналогов

 

AOD436. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD436

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AOD436

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD436 даташит

 ..1. Size:141K  aosemi
 aod436.pdf pdf_icon

AOD436

www.DataSheet4U.com AOD436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD436 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = 60A (VGS = 10V) gate resistance. This device is ideally suited for use RDS(ON)

 9.1. Size:110K  aosemi
 aod434.pdf pdf_icon

AOD436

AOD434 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features VDS (V) = 20V The AOD434 uses advanced trench technology to ID = 18A (VGS = 10V) provide excellent RDS(ON), low gate charge and RDS(ON)

 9.2. Size:838K  cn vbsemi
 aod438.pdf pdf_icon

AOD436

AOD438 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLU

Другие MOSFET... SSM40N03P , IRF830B , IRFS830B , CLY2 , 2SK2369 , 2SK2370 , 2SK2357 , 2SK2358 , 50N06 , BSN304 , J309G , J310G , SSF5508 , SSF7509 , 2SK1078 , 2SK2018-01L , 2SK2018-01S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.