J309G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J309G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
Encapsulados: TO92
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J309G datasheet
j309g j310g.pdf
J309, J310 Preferred Device JFET VHF/UHF Amplifiers N-Channel Depletion Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available* 1 DRAIN MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 Drain-Source Voltage VDS 25 Vdc GATE Gate -Source Voltage VGS 25 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc 2 SOURCE Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 350 mW Derate above = 25 C 2.8 mW/
Otros transistores... IRFS830B , CLY2 , 2SK2369 , 2SK2370 , 2SK2357 , 2SK2358 , AOD436 , BSN304 , IRFZ44 , J310G , SSF5508 , SSF7509 , 2SK1078 , 2SK2018-01L , 2SK2018-01S , 2SK2012 , 2SK2623 .
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