Справочник MOSFET. J309G

 

J309G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: J309G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для J309G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

J309G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
 j309g j310g.pdf pdf_icon

J309G

J309, J310Preferred Device JFET VHF/UHF AmplifiersN-Channel DepletionFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*1 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain-Source Voltage VDS 25 VdcGATEGate -Source Voltage VGS 25 VdcForward Gate Current IGF 10 mAdc2 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above = 25C 2.8 mW/

Другие MOSFET... IRFS830B , CLY2 , 2SK2369 , 2SK2370 , 2SK2357 , 2SK2358 , AOD436 , BSN304 , IRFZ44 , J310G , SSF5508 , SSF7509 , 2SK1078 , 2SK2018-01L , 2SK2018-01S , 2SK2012 , 2SK2623 .

History: 2SK2018-01S | SSS2N60 | PSMN013-80YS

 

 
Back to Top

 


 
.