2SK596 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK596
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 2SK596 MOSFET
2SK596 Datasheet (PDF)
2sk596.pdf

2SK596 N-CHANNEL Junction FET/N Purpose: Especially suited for use in audio,telephone capacitor microphones. Features:Excellent voltage characteristic,excellent transient characteristic. /Absolute maximum ratings(Ta=25)
2sk596s.pdf

2SK596SOrdering number : ENA0944SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-channel Silicon Juncton FETElectret Condenser Microphone2SK596SApplicationsFeatures Low output noise voltage : VNO=--110dB max (VCC=4.5V, RL=1k , Cin=15pF, VIN=0V, A curve) Especiallysuited for use in condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent transient characteristic
2sk596s-b.pdf

Ordering number : ENA09442SK596SN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.0mS, SPAFeatures Low output noise voltage : VNO=--110dB max (VCC=4.5V, RL=1k , Cin=15pF, VIN=0V, A curve) Especiallysuited for use in condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent transient characteristic Adoption of FBET processSpecificationsAbsolut
Otros transistores... 2SK2012 , 2SK2623 , 2SK3508-01MR , 2SK4200LS , 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , 2SK2675 , 2SK3878 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 .
History: FDB42AN15F085
History: FDB42AN15F085



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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