BRA2N60 Todos los transistores

 

BRA2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRA2N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 54 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 23 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRA2N60

 

BRA2N60 Datasheet (PDF)

1.1. bra2n60.pdf Size:371K _blue-rocket-elect

BRA2N60
BRA2N60

BRA2N60(BRCS2N60A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-262 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 These devices are well suited for high

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


BRA2N60
  BRA2N60
  BRA2N60
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM2306AE | GSM2306A | GSM2304S | GSM2304AS | GSM2304A | GSM2304 | GSM2303A | GSM2303 | GSM2302S | GSM2302AS | GSM2301S | GSM2301AS | GSM2301A | GSM2301 | GSM2014 |

 

 

 
Back to Top