BRA2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRA2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de BRA2N60 MOSFET
BRA2N60 Datasheet (PDF)
bra2n60.pdf

BRA2N60(BRCS2N60A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
Otros transistores... BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , 4N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C .
History: MDU1531SURH | PA002FMG | AO4407 | IXTH152N085T | IRFS820 | SIHFL214 | KP523A
History: MDU1531SURH | PA002FMG | AO4407 | IXTH152N085T | IRFS820 | SIHFL214 | KP523A



Liste
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