BRA2N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRA2N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO262

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BRA2N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BRA2N60 datasheet

 ..1. Size:371K  blue-rocket-elect
 bra2n60.pdf pdf_icon

BRA2N60

BRA2N60(BRCS2N60A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Otros transistores... BR7N60, BR7N80, BR80N06, BR80N08, BR80N10, BR80N75, BR8205, BR8N60, 5N65, BRA4N65, BRA7N80, AON6788, CS2N60, CS2N60F, JCS2N60V, JCS2N60R, JCS2N60C