Справочник MOSFET. BRA2N60

 

BRA2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRA2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для BRA2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  blue-rocket-elect
 bra2n60.pdf pdf_icon

BRA2N60

BRA2N60(BRCS2N60A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , 4N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C .

 

 
Back to Top

 


 
.