BRA2N60 - описание и поиск аналогов

 

BRA2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRA2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для BRA2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA2N60 даташит

 ..1. Size:371K  blue-rocket-elect
 bra2n60.pdf pdf_icon

BRA2N60

BRA2N60(BRCS2N60A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , 12N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C .

History: 3SK206 | WMK18N70EM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.