Справочник MOSFET. BRA2N60

 

BRA2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRA2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  blue-rocket-elect
 bra2n60.pdf pdf_icon

BRA2N60

BRA2N60(BRCS2N60A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PPMDP100V10 | IPB14N03LA | 2SK2114 | MTE6D5N12B0E3 | SMG2343P | SM8205AO | APT8020B2FLLG

 

 
Back to Top

 


 
.