BRA4N65 Todos los transistores

 

BRA4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRA4N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRA4N65

 

BRA4N65 Datasheet (PDF)

1.1. bra4n65.pdf Size:393K _blue-rocket-elect

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BRA4N65(BRCS4N65A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-262 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 These devices are well suited for high

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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