Справочник MOSFET. BRA4N65

 

BRA4N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRA4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для BRA4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  blue-rocket-elect
 bra4n65.pdf pdf_icon

BRA4N65

BRA4N65(BRCS4N65A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 8.1. Size:827K  blue-rocket-elect
 bra4n60.pdf pdf_icon

BRA4N65

BRA4N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package.. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficienc

Другие MOSFET... BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , 4435 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F .

History: STW16N40 | NUS5531MT

 

 
Back to Top

 


 
.