BRA7N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRA7N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de BRA7N80 MOSFET
BRA7N80 Datasheet (PDF)
bra7n80.pdf

BRA7N80(BRCS7N80A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
bra7n65.pdf

BRA7N65 Rev. A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well sui
Otros transistores... BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 , IRF530 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY .
History: HFW5N60S | 2SK2401 | AOTS26108 | 2P985B-2
History: HFW5N60S | 2SK2401 | AOTS26108 | 2P985B-2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet