BRA7N80 Todos los transistores

 

BRA7N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRA7N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRA7N80 Datasheet (PDF)

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BRA7N80

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BRA7N80

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History: STP33N65M2 | STP55N06L | RFP12N06RLE | RFL1N10L | SH8K12 | AUIRF2804 | BUZ358

 

 
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