BRA7N80 - описание и поиск аналогов

 

BRA7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRA7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для BRA7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA7N80 даташит

 ..1. Size:505K  blue-rocket-elect
 bra7n80.pdf pdf_icon

BRA7N80

BRA7N80(BRCS7N80A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:877K  blue-rocket-elect
 bra7n65.pdf pdf_icon

BRA7N80

BRA7N65 Rev. A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well sui

Другие MOSFET... BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 , IRF1010E , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.