Справочник MOSFET. BRA7N80

 

BRA7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRA7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для BRA7N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  blue-rocket-elect
 bra7n80.pdf pdf_icon

BRA7N80

BRA7N80(BRCS7N80A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:877K  blue-rocket-elect
 bra7n65.pdf pdf_icon

BRA7N80

BRA7N65 Rev. A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well sui

Другие MOSFET... BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 , IRF530 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY .

History: 3SK90

 

 
Back to Top

 


 
.